BD438和BD438S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD438 BD438S BD438G

描述 塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor单晶体管 双极, PNP, -45 V, 3 MHz, 36 W, -4 A, 30 hFEON SEMICONDUCTOR  BD438G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 45 V, 3 MHz, 36 W, -4 A, 3 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) -45.0 V - -45.0 V

额定电流 4.00 A - -4.00 A

耗散功率 36 W 36 W 36 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 85 @500mA, 1V 30 @10mA, 5V 85 @500mA, 1V

额定功率(Max) 36 W 36 W 36 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

针脚数 - 3 3

直流电流增益(hFE) - 30 3

耗散功率(Max) - 36000 mW 36000 mW

频率 - - 3 MHz

无卤素状态 - - Halogen Free

极性 - - PNP

集电极最大允许电流 - - 4A

长度 7.74 mm - -

宽度 2.66 mm - -

高度 11.04 mm - -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Bulk Bag Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司