BAS35T/R和BAS35,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS35T/R BAS35,215 CMPD1001A

描述 DIODE 0.25 A, 110 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal DiodeNXP  BAS35,215  二极管 小信号, 双共阳极, 110 V, 150 mA, 1.25 V, 50 ns, 10 ARectifier Diode, 2Element, 0.25A, 90V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3Pin

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Central Semiconductor

分类 二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

针脚数 - 3 -

正向电压 - 1V @200mA -

反向恢复时间 - 50 ns -

正向电流 - 150 mA -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 10 A -

正向电压(Max) - 1.25 V -

正向电流(Max) - 250 mA -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

工作结温 - 150℃ (Max) -

工作结温(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) - 250 mW -

电容 35.0 pF - -

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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