对比图
型号 HAT2165H-EL-E PH9025L,115 PH6325L,115
描述 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power SwitchingLFPAK N-CH 25V 66ALFPAK N-CH 25V 78.7A
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 5 5 4
封装 SOT-669 Power-SO8 SOT-669
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 30 W 62.5 W 62.5 W
漏源极电压(Vds) 30 V 25 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 55A 66A 78.7 A
上升时间 65 ns 39 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 5180pF @10V(Vds) 1414pF @30V(Vds) 1871pF @12V(Vds)
下降时间 9.5 ns 15 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 30W (Tc) 62.5W (Tc) 62.5W (Tc)
额定功率(Max) 30 W - 62.5 W
封装 SOT-669 Power-SO8 SOT-669
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -