IRF634B和SPA06N80C3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF634B SPA06N80C3

描述 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETINFINEON  SPA06N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220-3

引脚数 - 3

极性 N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 250 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 8.1A 6.00 A

额定电压(DC) - 800 V

额定电流 - 6.00 A

额定功率 - 39 W

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.78 Ω

耗散功率 - 39 W

阈值电压 - 3 V

上升时间 - 15 ns

输入电容(Ciss) - 785pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 39 W

下降时间 - 8 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 39W (Tc)

封装 TO-220 TO-220-3

长度 - 10.65 mm

宽度 - 4.85 mm

高度 - 16.15 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

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