SI4403CDY-T1-GE3和SI6433DQ-T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4403CDY-T1-GE3 SI6433DQ-T1 FDS4435BZ

描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 20V, 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSSOP-8FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4435BZ  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 0.016 ohm, -10 V, -2.1 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Intertechnology Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 8

封装 - TSSOP-8 SOIC-8

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -8.80 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - 60.0 mΩ 0.016 Ω

极性 - P-Channel P-Channel

耗散功率 - 1.50 W 2.5 W

输入电容 - - 1.36 nF

栅电荷 - - 41.0 nC

漏源极电压(Vds) - - 30 V

栅源击穿电压 - ±8.00 V ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) - -4.00 A to 4.00 A -8.80 A

上升时间 - - 6 ns

输入电容(Ciss) - - 1845pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 1 W

下降时间 - - 12 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 2.5W (Ta)

长度 - 4.4 mm 5 mm

宽度 - 3 mm 4 mm

高度 - 1.2 mm 1.5 mm

封装 - TSSOP-8 SOIC-8

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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