CY7C1264XV18-366BZXC和CY7C1264XV18-450BZXC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1264XV18-366BZXC CY7C1264XV18-450BZXC

描述 QDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165静态随机存取存储器 36MB (1Mx36) 1.8v 450MHz QDR II 静态随机存取存储器

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 LBGA-165 FBGA-165

引脚数 - 165

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

位数 - 36

存取时间(Max) - 0.45 ns

工作温度(Max) - 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃

封装 LBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free

ECCN代码 - 3A991.b.2.a

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