对比图
型号 IRF3709SPBF IRF3709STRLPBF STB80NF03L-04T4
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3709SPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 90A, D2-PAK 新INFINEON IRF3709STRLPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 90A, 30V, 3.1WN沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 90.0 A - 80.0 A
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 9 mΩ 10.5 mΩ 4.00 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.1 W 3.1 W 300 W
产品系列 IRF3709S - -
阈值电压 3 V 20 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 90.0 A 90A 80.0 A
上升时间 171 ns 171 ns 270 ns
输入电容(Ciss) 2672pF @16V(Vds) 2672pF @16V(Vds) 5500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.1 W - 300 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
额定功率 - 120 W -
输入电容 - 2672pF @16V 5500 pF
漏源击穿电压 - 30 V 30.0 V
下降时间 - 9.2 ns 95 ns
工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 3.1W (Ta), 120W (Tc) 300W (Tc)
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
长度 - 6.5 mm -
宽度 - 6.22 mm 9.35 mm
高度 - 2.3 mm -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -60℃ ~ 175℃ (TJ)