7807和IRF7807Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 7807 IRF7807Z IRF7807ZPBF

描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SOP-8SOIC N-CH 30V 11AINFINEON  IRF7807ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 13.8 mohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 - SO-8 SOIC-8

额定功率 - - 2.5 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.0138 Ω

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 - 2.5W (Ta) 2.5 W

阈值电压 - - 1.8 V

输入电容 - - 770pF @15V

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30 V

连续漏极电流(Ids) - 11.0 A 11A

上升时间 - 6.20 ns 6.2 ns

输入电容(Ciss) - 770pF @15V(Vds) 770pF @15V(Vds)

下降时间 - - 3.1 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 11.0 A -

产品系列 - IRF7807Z -

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.75 mm

封装 - SO-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active End of Life Obsolete

包装方式 - Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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