对比图
型号 HUF75339P3 PHP112N06T,127 IRF1018EPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75339P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 4 VTO-220AB N-CH 55V 75AINFINEON IRF1018EPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 79 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 55.0 V - -
额定电流 75.0 A - -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.012 Ω - 0.0071 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 200 W 200W (Tc) 110 W
阈值电压 4 V - 4 V
输入电容 2.00 nF - -
栅电荷 60.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V
漏源击穿电压 55.0 V - 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 75A 79A
上升时间 60 ns - 35 ns
输入电容(Ciss) 2000pF @25V(Vds) 4352pF @25V(Vds) 2290pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 200 W 200 W 110 W
下降时间 25 ns - 46 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 110W (Tc)
额定功率 - - 110 W
通道数 - - 1
长度 10.67 mm - 10.67 mm
宽度 4.83 mm - 4.83 mm
高度 9.4 mm - 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99