对比图
型号 IRFZ24NPBF IRFZ24N,127 RFD14N05L
描述 N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3Pin(3+Tab) TO-220AB RailFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05L 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 5 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-251-3
耗散功率 45 W 45W (Tc) 48 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 50 V
输入电容(Ciss) 370pF @25V(Vds) 500pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 45W (Tc) 45W (Tc) 48 W
额定功率 45 W - -
通道数 1 - -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.07 Ω - 100 mΩ
极性 N-CH - N-Channel
阈值电压 4 V - 2 V
输入电容 370 pF - -
漏源击穿电压 55 V - 50.0 V
连续漏极电流(Ids) 17A - 14.0 A
上升时间 34 ns - 24 ns
额定功率(Max) 45 W - 48 W
下降时间 27 ns - 16 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定电压(DC) - - 50.0 V
额定电流 - - 14.0 A
栅源击穿电压 - - ±10.0 V
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-251-3
长度 10 mm - 6.8 mm
宽度 4.4 mm - 2.5 mm
高度 8.77 mm - 6.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99