BZT52H-C9V1和BZT52H-C9V1,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT52H-C9V1 BZT52H-C9V1,115

描述 齐纳二极管 830mW,BZT52H 系列,Nexperia通用齐纳二极管高达 830mW 齐纳电压范围内的严格容差 表面安装外壳,SOD-123F### 齐纳二极管,NexperiaNXP  BZT52H-C9V1,115  单管二极管 齐纳, 9.1 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 2

封装 SOD-123F SOD-123F

容差 - ±5 %

针脚数 - 2

正向电压 - 900mV @10mA

耗散功率 - 375 mW

测试电流 5 mA 5 mA

稳压值 9.1 V 9.1 V

正向电压(Max) - 900mV @10mA

额定功率(Max) - 375 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 830 mW 830 mW

工作温度(Min) -65 ℃ -

封装 SOD-123F SOD-123F

长度 2.7 mm -

宽度 1.7 mm -

高度 1.2 mm -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

温度系数 - 5.4 mV/K

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

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