对比图
型号 IRF6717MTR1PBF IRF6717MTRPBF
描述 DirectFET® 功率 MOSFET，Infineon**DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻 封装电阻极低，尽量减少传导损耗 高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性 薄型，仅 0.7mm ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 25 V, 950 µohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 7 7
封装 Direct-FET DirectFET-MX
针脚数 7 5
漏源极电阻 1.25 mΩ -
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 96 W 96 W
阈值电压 1.8 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 38A 38A
上升时间 37 ns 37 ns
输入电容(Ciss) 6750pF @13V(Vds) 6750pF @13V(Vds)
额定功率(Max) 2.8 W 2.8 W
下降时间 15 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 96W (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc)
额定功率 - 96 W
产品系列 - -
长度 5.45 mm 6.35 mm
宽度 5.05 mm 5.05 mm
高度 0.62 mm 0.7 mm
封装 Direct-FET DirectFET-MX
材质 Silicon Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99