IRF7469TRPBF和IRF7470

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7469TRPBF IRF7470 IRF7469

描述 INFINEON  IRF7469TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 40 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V 新SOIC N-CH 40V 10ASOIC N-CH 40V 9A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SO-8 SO-8

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V

额定电流 9.00 A 11.0 A 9.00 A

额定功率 2.5 W - -

通道数 1 - -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 17 mΩ 9.00 mΩ -

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 2.5 W - 2.5W (Ta)

产品系列 IRF7469 IRF7470 IRF7469

阈值电压 3 V - -

输入电容 2000 pF - -

漏源极电压(Vds) 40 V 40.0 V 40 V

漏源击穿电压 40 V 40.0V (min) 40.0 V

连续漏极电流(Ids) 9.00 A 10.0 A 9.00 A

上升时间 2.2 ns 1.9 ns 2.20 ns

输入电容(Ciss) 2000pF @20V(Vds) - 2000pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - -

下降时间 3.5 ns 3.2 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)

长度 4.9 mm - -

宽度 3.9 mm - -

高度 1.75 mm - -

封装 SOIC-8 SO-8 SO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

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