MSMCGLCE30AE3和MXLSMCJLCE30AE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MSMCGLCE30AE3 MXLSMCJLCE30AE3 MASMCJLCE30AE3/TR

描述 DO-215AB 30V 1500WTVS 1500W UNIDIRECT DO-214ABTrans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 DO-215AB DO-214AB-2 -

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W -

最小反向击穿电压 33.3 V 33.3 V -

最大反向电压(Vrrm) 30V - -

封装 DO-215AB DO-214AB-2 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

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