对比图
型号 IRF5801TRPBF SI3442BDV-T1-E3
描述 IRF5801TRPBF N沟道MOSFET 600mA/0.6A SOT-163/TSOP-6 marking/标记 低漏源导通电阻N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 TSOP-6 TSOP-6
针脚数 - 6
漏源极电阻 - 0.045 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 2 W 1.67 W
阈值电压 - 1.8 V
漏源极电压(Vds) 200 V 20 V
漏源击穿电压 - 20.0 V
栅源击穿电压 - ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) 600 mA 3.00 A
上升时间 - 50 ns
输入电容(Ciss) 88pF @25V(Vds) 295pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 860 mW
下降时间 - 15 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 1670 mW
通道数 1 -
产品系列 IRF5801 -
长度 - 3.05 mm
宽度 1.5 mm 1.65 mm
高度 - 1 mm
封装 TSOP-6 TSOP-6
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 3000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC