STD5N20LT4和TN2524N8-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD5N20LT4 TN2524N8-G IRFR220NPBF

描述 STMICROELECTRONICS  STD5N20LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 VTrans MOSFET N-CH 240V 0.36A 4Pin(3+Tab) SOT-89INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFR220NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 5A, D-PAKS 新

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Supertex (超科) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 3

封装 TO-252-3 SOT-89-3 TO-252-3

额定电压(DC) 200 V - 200 V

额定电流 5.00 A - 5.00 A

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.65 Ω 6.00 Ω 600 mΩ

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 33 W 1.6 W 43 W

产品系列 - - IRFR220N

阈值电压 2.5 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 200 V 240 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 240 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 360 mA 5.00 A

上升时间 21.5 ns - 11.0 ns

输入电容(Ciss) 242pF @25V(Vds) - 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 33 W - 43 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定功率 - 1.6 W -

通道数 1 1 -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

下降时间 15.5 ns - -

耗散功率(Max) 33W (Tc) - -

封装 TO-252-3 SOT-89-3 TO-252-3

宽度 6.2 mm 2.6 mm -

长度 6.6 mm - -

高度 2.4 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

HTS代码 - 8541900000 -

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