对比图
型号 BSC123N08NS3G BSZ123N08NS3G
描述 80V,55A,N沟道功率MOSFETOptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount -
引脚数 8 8
封装 TDSON TSDSON
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 66.0 W 66.0 W
漏源极电压(Vds) 80 V 80 V
连续漏极电流(Ids) 11A 10A
上升时间 18 ns 18 ns
下降时间 4 ns 4 ns
封装 TDSON TSDSON
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC