对比图
型号 IRFR4105ZTR IRFR4105ZTRPBF IRFR3711TRPBF
描述 DPAK N-CH 55V 30AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。DPAK N-CH 20V 100A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 48W (Tc) 48 W 120 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 30A 30A 100A
输入电容(Ciss) 740pF @25V(Vds) 740pF @25V(Vds) 2980pF @10V(Vds)
耗散功率(Max) 48W (Tc) 48W (Tc) 2.5W (Ta), 120W (Tc)
额定功率 - 48 W 120 W
通道数 - - 1
漏源极电阻 - 24.5 mΩ 8.5 mΩ
漏源击穿电压 - - 20 V
上升时间 - 40 ns 220 ns
额定功率(Max) - - 2.5 W
下降时间 - 24 ns 12 ns
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 4 V -
输入电容 - 740 pF -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.73 mm 6.5 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.39 mm 2.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free