FDP047N08和PHP75NQ08T,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP047N08 PHP75NQ08T,127 IRF2907ZPBF

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3Pin(3+Tab) TO-220AB RailTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - - 75.0 V

额定电流 - - 75.0 A

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 268 W 157 W 300 W

产品系列 - - IRF2907Z

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 164A - 75.0 A

上升时间 147 ns 36 ns 140 ns

输入电容(Ciss) 9415pF @25V(Vds) 1985pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 268 W 157 W 300 W

下降时间 114 ns 26 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 268W (Tc) 157W (Tc) -

漏源极电阻 0.0037 Ω - -

阈值电压 3.5 V - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.67 mm - -

宽度 4.83 mm - -

高度 16.51 mm - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 - - EAR99

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

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