PH4530L和PH4530L,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PH4530L PH4530L,115

描述 PH4530L N沟道MOSFET 30V 80A SOT-669 marking/标记 4530 硅栅高速开关/低驱动MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 SOT-669 SOT-669

安装方式 - Surface Mount

封装 SOT-669 SOT-669

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

耗散功率 - 62.5W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

输入电容(Ciss) - 1972pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 62.5 W

耗散功率(Max) - 62.5W (Tc)

极性 N-CH -

连续漏极电流(Ids) 80A -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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