70T659S10BCI和70V659S10BFG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T659S10BCI 70V659S10BFG

描述 128K x 36 Async, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O'sDual-Port SRAM, 128KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, GREEN, FPBGA-208

数据手册 --

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 256 208

封装 LBGA-256 LFBGA-208

安装方式 - Surface Mount

电源电压 2.4V ~ 2.6V 3.15V ~ 3.45V

长度 17.0 mm 15.0 mm

宽度 17.0 mm 15.0 mm

封装 LBGA-256 LFBGA-208

厚度 1.40 mm 1.40 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube, Rail Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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