PUMD6和PUMD6,115

对比图

型号 PUMD6 PUMD6,115 934055430115

描述 NXP  PUMD6  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363NXP  PUMD6,115  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363Small Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 SOT-363 SOT-363-6 -

针脚数 6 6 -

极性 NPN, PNP NPN, PNP -

耗散功率 200 mW 200 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) 200 200 @1mA, 5V -

直流电流增益(hFE) 200 200 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

额定功率(Max) - 300 mW -

耗散功率(Max) - 300 mW -

封装 SOT-363 SOT-363-6 -

高度 - 1 mm -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -