对比图
型号 HGTG11N120CND HGTG20N60C3 HGTG30N60B3
描述 HGTG11N120CND系列 1200 V 43 A 法兰安装 NPT N沟道 IGBT-TO-24745A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT 45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTFAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60B3 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-247-3 TO-247 TO-247-3
针脚数 3 - 3
耗散功率 298 W - 208 W
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V - 600 V
反向恢复时间 70 ns - -
额定功率(Max) 298 W - 208 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 298000 mW - 208 W
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 60.0 A
极性 - - N-Channel
封装 TO-247-3 TO-247 TO-247-3
长度 - - 15.87 mm
宽度 - - 4.82 mm
高度 - - 20.82 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99