ADR439BR和ADR439BRZ-REEL7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ADR439BR ADR439BRZ-REEL7 ADR439BR-REEL7

描述 超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC

容差 - ±0.04 % -

输入电压(DC) 20.0V (max) 20.0V (max) 20.0V (max)

输出电压 4.50 V 4.5 V 4.50 V

输出电流 ≤30.0 mA 30 mA ≤30.0 mA

供电电流 - 800 µA -

通道数 1 1 1

输出电压(Min) - 4.5 V -

输入电压 - 6.5V ~ 18V -

精度 ±0.04 % - -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ -

温度系数 ±3.00 ppm/℃ ±3 ppm/℃ ±3.00 ppm/℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tape, Tape & Reel (TR) Tape, Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

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