BC489和BC639-10-BP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC489 BC639-10-BP BC489G

描述 大电流晶体管( NPN硅) High Current Transistors(NPN Silicon)Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3大电流晶体管NPN硅这是PBA ???? Free设备 High Current Transistors NPN Silicon These are Pb−Free Devices

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 TO-226-3 TO-92 TO-92-3

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-226-3 TO-92 TO-92-3

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Bulk - Box

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

额定电压(DC) 80.0 V - 80.0 V

额定电流 500 mA - 500 mA

极性 NPN - NPN

击穿电压(集电极-发射极) 80 V - 80 V

集电极最大允许电流 0.5A - 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 60 @100mA, 2V - 60 @100mA, 2V

额定功率(Max) 625 mW - 625 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 625 mW

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

ECCN代码 - - EAR99

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