MS1512和TPV597

对比图

型号 MS1512 TPV597 BLX97

描述 Trans RF BJT NPN 25V 1.2A 4Pin Case M-122RF Power Bipolar Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPNTransistor

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Advanced Semiconductor Advanced Semiconductor

分类 双极性晶体管

引脚数 4 - -

封装 M-122 - -

耗散功率 19400 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 25 V - -

增益 10 dB - -

额定功率(Max) 19.4 W - -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 19400 mW - -

高度 16.26 mm - -

封装 M-122 - -

材质 Silicon - -

工作温度 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -