BAS85-GS18和BAT54HT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS85-GS18 BAT54HT1G BAT54XV2T1G

描述 小信号肖特基二极管 Small Signal Schottky DiodeON SEMICONDUCTOR  BAT54HT1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °CON SEMICONDUCTOR  BAT54XV2T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 肖特基二极管肖特基二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 Mini-MELF SOD-323-2 SOD-523-2

额定电流 200 mA 200 mA 200 mA

电容 10.0 pF 10.0 pF 10.0 pF

正向电压 800mV @100mA 0.8 V 800mV @100mA

反向恢复时间 5 ns 5 ns 5 ns

正向电流 100 mA 200 mA 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 600 mA 600 mA 600 mA

正向电压(Max) 800 mV 800 mV 800 mV

工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ 125 ℃

工作结温 125℃ (Max) - -

额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

输出电流 - ≤200 mA ≤200 mA

负载电流 - - 0.2 A

针脚数 - 2 2

极性 - Standard Standard

耗散功率 - 200 mW 200 mW

热阻 - 635℃/W (RθJA) 635 ℃/W

正向电流(Max) - 200 mA 200 mA

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 200 mW 200 mW

最大反向击穿电压 - 30 V -

工作结温(Max) - 150 ℃ -

封装 Mini-MELF SOD-323-2 SOD-523-2

长度 - 1.8 mm 1.2 mm

宽度 - 1.35 mm 0.8 mm

高度 - 1 mm 0.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 125℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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