IRF7104PBF和IRF9953

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7104PBF IRF9953 IRF7104TRPBF

描述 INFINEON  IRF7104PBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2.3 A, -20 V, 250 mohm, -10 V, -3 VSOIC P-CH 30V 2.3AINFINEON  IRF7104TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.3 A, -20 V, 0.19 ohm, -10 V, -3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 2 W - 2 W

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.25 Ω - 0.19 Ω

极性 Dual P-Channel P-CH Dual P-Channel

耗散功率 2 W - 2 W

阈值电压 3 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 2.3A 2.30 A 2.3A

上升时间 16 ns 14.0 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 290pF @15V(Vds) 190pF @15V(Vds) 290pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

下降时间 30 ns - 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W - 2 W

通道数 2 - -

热阻 62.5℃/W (RθJA) - -

额定电压(DC) - -30.0 V -

额定电流 - -2.30 A -

长度 5 mm - 5 mm

宽度 3.9 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

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