对比图
描述 低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4AMOSFET DRVR 4A 2Out High Speed Inv/Non-Inv 8Pin SOIC
数据手册 --
制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOIC-8 SOIC-8
上升/下降时间 40ns, 25ns 40ns, 25ns
输出接口数 2 2
电源电压 4V ~ 14V 4V ~ 14V
输出电流 - 4 A
供电电流 - 1 A
耗散功率 - 588.2 mW
上升时间 - 6 ns
下降时间 - 5 ns
工作温度(Max) - 125 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃
耗散功率(Max) - 588.2 mW
电源电压(Max) - 14 V
电源电压(Min) - 4 V
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free