对比图
型号 IRF6794MTR1PBF IRF6794MTRPBF
描述 Direct-FET N-CH 25V 32ADirect-FET N-CH 25V 32A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 7
封装 DirectFET-MX Direct-FET
极性 N-CH N-CH
耗散功率 100 W 2.8W (Ta), 100W (Tc)
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 32A 32A
上升时间 - 25 ns
输入电容(Ciss) 4420pF @13V(Vds) 4420pF @13V(Vds)
额定功率(Max) - 2.8 W
下降时间 - 9.6 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃
耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 100W (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc)
封装 DirectFET-MX Direct-FET
长度 6.35 mm -
宽度 5.05 mm -
高度 0.7 mm -
材质 - Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free