CYD18S18V18-167BBAXI和CYD18S18V18-167BBXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CYD18S18V18-167BBAXI CYD18S18V18-167BBXI CYD18S18V18-200BBAXC

描述 CYD18S18V18 系列 18 Mb (256 K x 72) 1.8 V 4 ns 双端口 静态 RAM FBGA-256SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 1M x 18 11ns/6ns 256Pin FBGACYD18S18V18 系列 18 Mb (256 K x 72) 1.8 V 3.3 ns 双端口 静态 RAM FBGA-256

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 LBGA-256 FBGA FBGA-256

引脚数 256 - 256

电源电压(DC) - 1.80 V 1.42V (min)

时钟频率 - 167MHz (max) 77.0 MHz

存取时间 - 167 µs 3.3 ns

内存容量 - 18000000 B 2250000 B

频率 - - 200 MHz

位数 18 - 18

工作温度(Max) 85 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 0 ℃

电源电压 - - 1.7V ~ 1.9V

封装 LBGA-256 FBGA FBGA-256

高度 1.25 mm - 1.25 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray, Bulk Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - 0℃ ~ 70℃ (TA)

ECCN代码 3A991.b.2.b - 3A991.b.2.b

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