MMBZ18VALT1和MMBZ18VALT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBZ18VALT1 MMBZ18VALT1G MMBZ20VALT1G

描述 24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage SuppressorsON SEMICONDUCTOR  MMBZ18VALT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 14.5 V, 25 V, SOT-23, 3 引脚On Semiconductor共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器 特别适用于自动插入 低泄漏

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 18.0 V 18.0 V 20.0 V

额定电流 - - 1 A

额定功率 40.0 W 40.0 W 40.0 W

击穿电压 18.0 V 17.1 V 20 V

通道数 - 2 2

针脚数 - 3 3

耗散功率 - 0.3 W 40 W

钳位电压 - 25 V 28 V

测试电流 - 1 mA 1 mA

最大反向击穿电压 - 18.9 V 21 V

脉冲峰值功率 40 W 40 W 40 W

最小反向击穿电压 17.1 V 17.1 V 19 V

击穿电压 - 17.1 V 19 V

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW

正向电压 - 0.9 V -

长度 3.04 mm 3.04 mm 3.04 mm

宽度 1.40 mm 1.40 mm 1.4 mm

高度 1.26 mm 0.94 mm 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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