对比图
型号 MC1413BDR2G ULN2003ANE4 ULQ2003AD
描述 ON SEMICONDUCTOR MC1413BDR2G 晶体管阵列TEXAS INSTRUMENTS ULN2003ANE4 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIPTEXAS INSTRUMENTS ULQ2003AD 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 16 16 16
封装 SOIC-16 DIP-16 SOIC-16
电源电压(DC) 30.0 V - -
额定电压(DC) 50.0 V - -
额定电流 500 mA - -
无卤素状态 Halogen Free - -
输出电压 50 V - 50 V
输出电流 500 mA - 0.5 A
针脚数 16 16 16
极性 NPN NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @350mA, 2V - -
直流电流增益(hFE) 1000 1000 1000
工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -20 ℃ -40 ℃
输入电压 30 V - 30 V
输出接口数 - 7 7
通道数 - 7 7
驱动器/包 - 7 7
输入电压(Max) - 5 V -
输出电压(Max) - 50 V -
输出电流(Max) - 500 mA 500 mA
长度 10 mm - 9.9 mm
宽度 4 mm - 3.91 mm
高度 1.5 mm - 1.58 mm
封装 SOIC-16 DIP-16 SOIC-16
工作温度 150℃ (TJ) -20℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 NLR - -