SI6473DQ-T1-E3和SI6473DQ-T1-GE3

对比图

型号 SI6473DQ-T1-E3 SI6473DQ-T1-GE3 SI6473DQ

描述 MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOPMOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOPTransistor,

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Intertechnology

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TSSOP-8 TSSOP-8 -

引脚数 8 - -

耗散功率 0.08 W 1.08W (Ta) -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -

耗散功率(Max) 1.08W (Ta) 1.08W (Ta) -

漏源极电阻 0.0215 Ω - -

极性 P-Channel - -

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TSSOP-8 TSSOP-8 -

长度 3.1 mm - -

宽度 3 mm - -

高度 1.05 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -