LMV358QDQ1和LMV358QDRQ1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMV358QDQ1 LMV358QDRQ1 TSV852AIDT

描述 低电压轨到轨输出运算放大器 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS低电压轨到轨输出运算放大器 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSTSV85x、TSV85xA、低功率、高精度、通用运算放大器TSV850、TSV851(单)、TSV852、TSV853(双)和 TSV854、TSV855(四路)运算放大器可提供低电压操作,带轨对轨输出摆幅。低功耗:最大 180 μA (5 V) 关闭模式:最大 50 nA,仅适合 TSV850(A)、TSV853(A)、TSV855(A) 低偏置电压:最大 0.8 mV (25°C) 扩展温度范围:-40°C 至 125°C 电源操作范围 2.3 V 至 5.5 V 益带宽产品:1.3 MHz 汽车资格 ### 运算放大器,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

供电电流 - 210 µA 130 µA

电路数 - 2 2

通道数 2 2 2

输入补偿漂移 5.00 µV/K 5.00 µV/K -

带宽 - 1.00 MHz 1.3 MHz

转换速率 1.00 V/μs 1.00 V/μs 700 mV/μs

增益频宽积 1.00 MHz 1 MHz 1.3 MHz

输入补偿电压 - 1.7 mV 800 µV

输入偏置电流 - 15 nA 27 nA

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) - 50 dB 72 dB

输出电流 - - 70mA @5V

共模抑制比 - - 72 dB

增益带宽 - - 1.3 MHz

电源电压 - - 2.5V ~ 5.5V

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.65 mm

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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