MT29F32G08AECCBH1-10IT:C和MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT29F32G08AECCBH1-10IT:C MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C MT29F32G08AECCBH1-10:C

描述 SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32G-bit 4G x 8 100Pin VBGASLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32Gbit 4G x 8Bit 20ns 100Pin V-BGASLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32G-bit 4G x 8 100Pin VBGA

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 Flash芯片Flash芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 100 100 -

封装 VBGA VFBGA-100 VBGA

工作电压 3.30 V 3.30 V 3.30 V

位数 8 8 -

内存容量 4000000000 B 4000000000 B 4000000000 B

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 - 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

封装 VBGA VFBGA-100 VBGA

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free 无铅

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

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