DDTD122JC-7和DDTD122JC-7-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DDTD122JC-7 DDTD122JC-7-F DDTD122JC-13

描述 Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.22K 4.7KSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

引脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 50 V -

集电极最大允许电流 500mA 500mA -

最小电流放大倍数(hFE) 47 47 @50mA, 5V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率 - 200 mW -

额定功率(Max) - 200 mW -

增益带宽 - 200 MHz -

耗散功率(Max) - 200 mW -

长度 3.05 mm 3.05 mm -

宽度 1.4 mm 1.4 mm -

高度 1 mm 0.98 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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