对比图
型号 IRFR2607ZPBF IRFR2607ZTRPBF STD45NF75T4
描述 INFINEON IRFR2607ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 75 V, 22 mohm, 10 V, 4 VN沟道 75V 42AN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
引脚数 3 3 3
封装 TO-252 DPAK-252 TO-252-3
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
额定功率 - 110 W -
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 110 W 110 W 125 W
漏源极电压(Vds) 75 V 80 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 45A 45A 20.0 A
上升时间 59 ns 59 ns 40 ns
输入电容(Ciss) 1440pF @25V(Vds) 1440pF @25V(Vds) 1760pF @25V(Vds)
下降时间 28 ns 28 ns 12 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110 W 110000 mW 125W (Tc)
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.022 Ω - 0.018 Ω
阈值电压 4 V - 4 V
额定电压(DC) - - 75.0 V
额定电流 - - 40.0 A
通道数 - - 1
输入电容 - - 1760 pF
漏源击穿电压 - - 75.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
额定功率(Max) - - 125 W
封装 TO-252 DPAK-252 TO-252-3
长度 6.73 mm - 6.6 mm
宽度 6.22 mm - 6.2 mm
高度 2.39 mm - 2.4 mm
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
REACH SVHC标准 - - No SVHC