IXTP90N055T和IXTP90N055T2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTP90N055T IXTP90N055T2 IXTA90N055T

描述 TO-220 N-CH 55V 90ATO-220 N-CH 55V 90AD2PAK N-CH 55V 90A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 176 W 150 W 176W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 90.0 A 90A 90A

输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 2770pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 176W (Tc) 150W (Tc) 176W (Tc)

通道数 1 1 -

漏源极电阻 8.8 mΩ 7 mΩ -

阈值电压 - 4 V -

漏源击穿电压 55 V 55 V -

上升时间 30 ns 21 ns -

额定功率(Max) - 150 W -

下降时间 20 ns 19 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3

长度 10.66 mm 10.66 mm -

宽度 4.83 mm 4.83 mm -

高度 9.15 mm 16 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

香港进出口证 - NLR -

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