SI1905DL-T1-E3和SI1917EDH-T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI1905DL-T1-E3 SI1917EDH-T1 SI1965DH-T1-GE3

描述 Trans MOSFET P-CH 8V 0.57A 6Pin SC-70 T/RMOSFET 10V 1.15AMOSFET 12V 1.3A 1.25W 390mohm @ 4.5V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-70-6 SOT-363-6 SC-70-6

引脚数 6 - -

耗散功率 0.27 W 730 mW 740 mW

阈值电压 - - 1 V

漏源极电压(Vds) 8 V - 12 V

输入电容(Ciss) - - 120pF @6V(Vds)

额定功率(Max) 270 mW - 1.25 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

漏源极电阻 0.6 Ω 370 mΩ -

极性 - P-Channel -

栅源击穿电压 - ±12.0 V -

连续漏极电流(Ids) - -1.00 A -

上升时间 25 ns - -

下降时间 25 ns - -

封装 SC-70-6 SOT-363-6 SC-70-6

长度 2.1 mm 2.1 mm -

宽度 1.25 mm 1.25 mm -

高度 1 mm 1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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