BUK100-50GS和VNP14N04

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK100-50GS VNP14N04

描述 功率MOS晶体管TOPFET PowerMOS transistor TOPFETâ ???? OMNIFETâ ???? :全AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-220 TO-220-3

额定电压(DC) - 42.0 V

额定电流 - 14.0 A

输出接口数 - 1

耗散功率 - 50 W

漏源击穿电压 - 42 V

上升时间 - 160 ns

输出电流(Max) - 10 A

封装 TO-220 TO-220-3

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 - Tube

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

ECCN代码 - EAR99

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