对比图
型号 VB20100C-E3/4W VB20100C-E3/8W MBR20100CT-E3/4W
描述 TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.50 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 ATMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 二极管阵列二极管阵列二极管阵列
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
正向电压 0.79 V 790mV @10A 0.95 V
热阻 - - 2℃/W (RθJC)
正向电流 20 A - 10 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 150 A 150 A 150 A
正向电压(Max) - - 800mV @10A
正向电流(Max) 20 A - 20 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -65 ℃
工作结温(Max) - - 150 ℃
长度 10.45 mm 10.45 mm 10.54 mm
宽度 9.14 mm 9.14 mm 4.7 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 15.32 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
工作温度 40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free