JAN2N5681和NTE324

对比图

型号 JAN2N5681 NTE324 2N5681

描述 Trans GP BJT NPN 100V 1A 3Pin TO-39TO-39 NPN 120V 1ANPN功率晶体管的硅放大器 NPN POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIER

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) NTE Electronics Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-39 TO-39 TO-39

工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 1000 mW 1000 mW

额定电压(DC) - 120 V -

额定电流 - 1.00 A -

极性 - NPN -

耗散功率 - 10 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 120 V -

集电极最大允许电流 - 1A -

直流电流增益(hFE) - 40 -

封装 TO-39 TO-39 TO-39

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

HTS代码 - 85412100959 -