PBSS3515VS和PBSS3515VS,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS3515VS PBSS3515VS,115 934056767115

描述 PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsSOT-666 PNP 15V 0.5ASmall Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 SOT-363 SOT-563 -

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 15 V 15 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 90 150 @100mA, 2V -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW -

频率 - 280 MHz -

耗散功率 - 0.2 W -

最大电流放大倍数(hFE) - 200 @10mA, 2V -

额定功率(Max) - 200 mW -

长度 1.7 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.6 mm - -

封装 SOT-363 SOT-563 -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台