对比图
型号 FDA28N50F FMH28N50ES 2SK3704
描述 UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。TO-3P(Q) N-CH 500V 28ATO-220ML N-CH 60V 45A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) FUJI (富士电机) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-3-3 TO-3 TO-220-3
通道数 1 - -
漏源极电阻 175 mΩ - -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 310 W - 2W (Ta), 30W (Tc)
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 60 V
漏源击穿电压 500 V - -
连续漏极电流(Ids) 28A 28A 45A
上升时间 137 ns - -
输入电容(Ciss) 5387pF @25V(Vds) - 3500pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 310 W - -
下降时间 101 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 310W (Tc) - 2W (Ta), 30W (Tc)
长度 15.8 mm - -
宽度 5 mm - -
高度 20.1 mm - 6.1 mm
封装 TO-3-3 TO-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free