对比图
型号 BQ4011YMA-70 DS1230Y-70+ M48Z35Y-70PC1
描述 128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-70+ 芯片, 存储器, NVRAMSTMICROELECTRONICS M48Z35Y-70PC1 芯片, 非易失性存储器 10年内部电池供电 256K
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 28 28 28
封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28
电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)
供电电流 50 mA - 50 mA
时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz
存取时间 70.0 ns 70 ns 70 ns
内存容量 256000 B 32000 B 32000 B
存取时间(Max) 70 ns - 70 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V
针脚数 - 28 28
电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V
电源电压(Min) - 4.5 V 4.5 V
封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28
长度 - 39.12 mm 39.88 mm
宽度 - 18.8 mm 18.34 mm
高度 - 9.4 mm 8.89 mm
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 NLR - -