IRLR2905TRPBF和IRLR3636PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR2905TRPBF IRLR3636PBF IRLR2905TRLPBF

描述 INFINEON  IRLR2905TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  IRLR3636PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 6.8 mohm, 10 V, 2.5 V晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.027 Ω 0.0068 Ω 0.027 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 143 W 110 W

阈值电压 2 V 2.5 V 2 V

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 42A 99A 42A

上升时间 84 ns 216 ns 84 ns

输入电容(Ciss) 1700pF @25V(Vds) 3779pF @50V(Vds) 1700pF @25V(Vds)

下降时间 15 ns 96 ns 15 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 143W (Tc) 110W (Tc)

额定功率 69 W 143 W -

输入电容 1700 pF - -

漏源击穿电压 55 V - -

额定功率(Max) 110 W - -

反向恢复时间 - 27 ns -

正向电压(Max) - 1.3 V -

工作结温 - -55℃ ~ 175℃ -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.39 mm - -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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