BUK9606-75B和BUK9606-75B,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK9606-75B BUK9606-75B,118

描述 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FETN-Channel 75V 5.5mΩ 95NC SMT TrenchMOS logic level FET - TO-263

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 D2PAK TO-263-3

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

极性 N-CH -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 153A -

耗散功率 - 300 W

上升时间 - 144 ns

输入电容(Ciss) - 11693pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W

下降时间 - 116 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 300W (Tc)

封装 D2PAK TO-263-3

高度 - 4.5 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

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