对比图
描述 射频与微波晶体管VHF移动应用程序 RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS射频与微波晶体管UHF移动应用程序 RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF MOBILE APPLICATIONSRF Power Bipolar Transistor, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.38INCH, STUD PACKAGE-4
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Advanced Semiconductor
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Chassis -
封装 M113 M122 -
额定电压(DC) 36.0 V 16.0 V -
额定电流 8.00 A 2.50 A -
耗散功率 70 W - -
击穿电压(集电极-发射极) 16 V 16 V -
增益 9 dB 7 dB -
最小电流放大倍数(hFE) 20 @250mA, 5V 10 @1A, 5V -
最大电流放大倍数(hFE) 20 @250mA, 5V - -
额定功率(Max) 70 W 58 W -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) 65 ℃ - -
长度 24.89 mm - -
宽度 6.48 mm - -
高度 7.11 mm - -
封装 M113 M122 -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active
包装方式 Bulk Bulk -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -
工作温度 - 200℃ (TJ) -