FQD5N20LTM和MTD4N20E

对比图

型号 FQD5N20LTM MTD4N20E MTD4N20E1

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 200 V, 0.94 ohm, 10 V, 2 VTrans MOSFET N-CH 200V 4A 3Pin(2+Tab) DPAK Rail4A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C, DPAK-3

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252 CASE 369C

上升时间 90 ns 4 ns -

输入电容(Ciss) 250pF @25V(Vds) 311pF @25V(Vds) -

下降时间 50 ns 6 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2500 mW 40000 mW -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.94 Ω - -

耗散功率 2.5 W - -

阈值电压 2 V - -

漏源极电压(Vds) 200 V - -

额定功率(Max) 2.5 W - -

封装 TO-252-3 TO-252 CASE 369C

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Rail -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -